當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 冷熱沖擊箱 > 三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 > 3AP-CJ-80A芯片冷熱沖擊試驗(yàn)箱
簡(jiǎn)要描述:芯片冷熱沖擊試驗(yàn)箱用于電工電子電器機(jī)械等零組件、自動(dòng)化零部件、國(guó)防工業(yè)行業(yè)、航空航天研究所、兵工業(yè)、通訊產(chǎn)品或組件、汽車(chē)成品或配件、金屬材料、化學(xué)材料、五金塑膠、LED、LCD光電、光伏、照明、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測(cè)試其材料對(duì)冷、熱溫的快速反復(fù)抵抗力及工業(yè)產(chǎn)品處于熱脹冷縮的環(huán)境時(shí)所出現(xiàn)的化學(xué)變化或者物理傷害。
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品牌 | 愛(ài)佩科技/A-PKJ | 價(jià)格區(qū)間 | 5萬(wàn)-10萬(wàn) |
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產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,交通,綜合 |
芯片冷熱沖擊試驗(yàn)箱用于電工電子電器機(jī)械等零組件、自動(dòng)化零部件、國(guó)防工業(yè)行業(yè)、航空航天研究所、兵工業(yè)、通訊產(chǎn)品或組件、汽車(chē)成品或配件、金屬材料、化學(xué)材料、五金塑膠、LED、LCD光電、光伏、照明、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測(cè)試其材料對(duì)冷、熱溫的快速反復(fù)抵抗力及工業(yè)產(chǎn)品處于熱脹冷縮的環(huán)境時(shí)所出現(xiàn)的化學(xué)變化或者物理傷害,可確認(rèn)工業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量,從精密的IC到重機(jī)械的組件,可作為工業(yè)行業(yè)眾多產(chǎn)品改進(jìn)質(zhì)量的依據(jù)或參考。以便考核產(chǎn)品的適應(yīng)性或?qū)y(cè)試產(chǎn)品的行
為作出評(píng)價(jià)。是新產(chǎn)品研發(fā)、樣機(jī)實(shí)驗(yàn)、產(chǎn)品合格鑒定試驗(yàn)全過(guò)程的重要試驗(yàn)手段。
參照標(biāo)準(zhǔn):
GB/T2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A 低溫
GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫
GB/T 10592-2008 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
芯片冷熱沖擊試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù):
溫度范圍可選:-40~150℃;-55~150℃;-65~150℃
高溫儲(chǔ)溫區(qū):+60℃~+200℃
低溫儲(chǔ)溫區(qū):-10℃~-75℃;
溫度循環(huán)沖擊恢復(fù)時(shí)間: 3~5min內(nèi);溫度循環(huán)沖擊移動(dòng)時(shí)間: ≤10sec內(nèi)。
升溫時(shí)間(蓄熱區(qū)) :RT~200℃約需35min;降溫時(shí)間(蓄冷區(qū)) :RT~-70℃約需85min
內(nèi)箱尺寸可選擇:35×35×40、50×40×40、60×50×50、70×60×60
內(nèi)外箱材質(zhì):外殼防銹處理冷軋鋼板(噴塑)或不銹鋼板(SUS304);內(nèi)箱100%保證為不銹鋼板(SUS304) ,絕熱材料為聚氨酯泡沫和玻璃纖維
氣動(dòng)氣缸:高溫、環(huán)境溫度、低溫曝露時(shí)的各個(gè)風(fēng)門(mén)驅(qū)動(dòng)用
空氣壓縮機(jī):提供驅(qū)動(dòng)氣動(dòng)風(fēng)門(mén)的壓縮空氣(選件)
安全裝置:超溫保護(hù)裝置、漏電保護(hù)裝置、短路保護(hù)裝置、電機(jī)過(guò)熱保護(hù)裝置、壓縮機(jī)超壓保護(hù)裝置、超載保護(hù)裝置、過(guò)電流保護(hù)裝置等。
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